日本P.R.A.半導體靜電卡盤用高壓ESC電源
日本P.R.A.半導體靜電卡盤用高壓ESC電源

1. 在晶圓靜電吸附領域，雙極 ESC 電源已成主流，其核心補償思路如下：

• 正、負電極對晶圓施加的電壓，與等離子體點燃后在晶圓表面產生的 DC self-bias，會在吸合力上造成不平衡。
• 為此，在 ESC 電源的中心抽頭（CT）注入一路“偏置抵消電壓"，把上述 DC bias 抵消，實現整面均勻吸附。

2. ESC 是什么？半導體硅片或 LCD 玻璃基板在真空腔室內必須被“無夾持"固定。傳統機械爪易劃傷、局部應力大；真空吸盤又無法在真空中工作。于是利用靜電力：在陶瓷盤內部埋設一對電極，通高壓后形成“庫侖吸盤"，即靜電卡盤（ESC）。該方法已廣泛用于 PVD、CVD、ETCH 等制程。
3. 工作原理（圖 1）電極附近出現反極性電荷，陶瓷表面則感應出同極性電荷。當硅片靠近時，片內誘導電荷與表面電荷相互吸引，產生吸附力。吸力大小與表面電荷量成正比，而電荷量由高壓電源精確控制。
4. P.R.A. 自制 ESC 電源

半導體前制程專用靜電卡盤高壓電源

• 輸出電壓：±1 kV ～ ±5 kV（連續可調）
• 輸出電流：1 ～ 10 mA
• 極性：單極 / 雙極可選
• 中心抽頭（Bias）：Floating / FG / Bias 三種模式
• 控制方式：本地旋鈕 + 外部模擬信號 + 遠程數字指令（I/O、RS-232C 等）
• 符合 RoHS

1. 可直接替換現有電源，保持原接口與安裝孔位（Plug-in 兼容）。
2. 內置過流限制、極性反接保護、電弧放電抑制，顯著提升工藝良率。
3. 支持單口（1-Port）、J-R 型、多通道陣列等各種 ESC 接口。